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变频器常用的逆变管
[正文]:一、scr-晶闸管 也称可控硅,有三个极:阳极(a),阴极(k)和门极(g)。
其图形符号如图所示:
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scr工作特点:当a、k间有一正向电压时,在门极和阴极间加一不大的正向电压(g为“+”,k为“-”)时,scr即导通。
此时,即使取消门电压,scr仍保持导通,只有当a、k间是反向电压时,scr才判断。
所以,只需要用一个脉冲信号,就可以控制其导通了。
( ) 二、gto-可关断晶体管 gto结构和scr类似,也有三个极:阳极a,阴极k和门极g,图形符号也和scr类似,只在门极上加一短线来区别,如图:
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gto工作特点:(1)当a、k间是正向电压时,在门极上加正向电压或正脉冲,gto即导通。
其后,即使取消控制信号,gto仍保持导通。
这一点儿和scr一样。
(2)当在g、k间加反向电压或反向脉冲时,gto判断。
gto关断控制较易失败,工作频率也不高。
在中小容量变频器中已基本不用gto,但其工作电流大,故在大容量变频器中仍居主要地位。
三、gtr-电力晶体管 也叫双极结型晶体管(bjt)。
变频器用的gtr一般都是达林顿晶体管模块,有三个极:集电极c,发射极e和基极b。
其图形符号和普通晶体管一样,如图所示:
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gtr工作特点:和普通晶体管一样,gtr也是一种放大器件,具有三种工作状态:放大状态、饱和状态和截止状态。
在变频器中是作为开关器件来用的,工作过程中,总是在饱和状态和截止状态间进行交替。
gtr是用电流信号进行驱动的,所需驱动功率较大,故基极驱动系列比较复杂,并使工作频率难以提高,这是其不足之处。
( ) 四、igbt-绝缘栅双极型晶体管 igbt是mosfet(mos场效应晶体管)和gtr相结合的产物。
其主体部分与晶体管相同,也有集电极c和发射极e,但驱动部分和场效应管相同,是绝缘栅结构。
其符号如图所示:
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igbt工作特点:控制部分和场效应晶体管相同,控制信号为电压信号,输入阻抗很高,栅极电流为0,帮驱动功率很小。
主电路和gtr相同,工作电流为集电极电流。
igbt击穿电压已做到1200v,集电极最大饱和电流已超过1500a。
其工作频率要达20khz,由igbt作为变频器的载波频率一般都在10khz以上,电机电流波形比较平滑,基本无电磁噪声。
( )
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