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IGBT及单双向可控硅
[正文]:绝缘栅双极型晶体管igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为mosfet，输出极为pnp晶体管，因此，可以把其看作是mos输入的达林顿管。
它融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中，igbt由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点，已逐步取代晶闸管或gto。
但是在开关电源装置中，由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下，使得它容易损坏，另外，电源作为系统的前级，由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大，故igbt的可靠性直接关系到电源的可靠性。
因而，在选择igbt时除了要作降额考虑外，对igbt的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。
1igbt的工作原理 igbt的等效电路如图1所示。
由图1可知，若在igbt的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若igbt的栅极和发射极之间电压为0v，则mosfet截止，切断pnp晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
由此可知，igbt的安全可靠与否主要由以下因素决定： ——igbt栅极与发射极之间的电压； ——igbt集电极与发射极之间的电压； ——流过igbt集电极－发射极的电流； ——igbt的结温。
如果igbt栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则igbt不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则igbt可能永久性损坏；同样，如果加在igbt集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过igbt集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，igbt的结温超过其结温的允许值，igbt都可能会永久性损坏。
2保护措施 在进行电路设计时，应针对影响igbt可靠性的因素，有的放矢地采取相应的保护措施。
2．1igbt栅极的保护 igbt的栅极－发射极驱动电压vge的保证值为±20v，如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏igbt，因此，在igbt的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。
另外，若igbt的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极－发射极有电流流过。
这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使igbt发热甚至损坏。
如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开，在不被察觉的情况下给主电路加上电压，则igbt就可能会损坏。
为防止此类情况发生，应在igbt的栅极与发射极间并接一只几十kω的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。
如图2所示。
由于igbt是功率mosfet和pnp双极晶体管的复合体，特别是其栅极为mos结构，因此除了上述应有的保护之外，就像其他mos结构器件一样，igbt对于静电压也是十分敏感的，故而对igbt进行装配焊接作业时也必须注意以下事项： ——在需要用手接触igbt前，应先将人体上的静电放电后再进行操作，并尽量不要接触模块的驱动端子部分，必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉； ——在焊接作业时，为了防止静电可能损坏igbt，焊机一定要可靠地接地。
2．2集电极与发射极间的过压保护 过电压的产生主要有两种情况，一种是施加到igbt集电极－发射极间的直流电压过高，另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。
2.2.1直流过电压 直流过压产生的原因是由于输入交流电源或igbt的前一级输入发生异常所致。
解决的办法是在选取igbt时，进行降额设计；另外，可在检测出这一过压时分断igbt的输入，保证igbt的安全。
2.2.2浪涌电压的保护 因为电路中分布电感的存在，加之igbt的开关速度较高，当igbt关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压ldi/dt，威胁igbt的安全。
通常igbt的浪涌电压波形如图3所示。
图中：vce为igbt?电极－发射极间的电压波形； ic为igbt的集电极电流； ud为输入igbt的直流电压； vcesp=ud＋ldic/dt,为浪涌电压峰值。
如果vcesp超出igbt的集电极－发射极间耐压值vces，就可能损坏igbt。
解决的办法主要有： ——在选取igbt时考虑设计裕量； ——在电路设计时调整igbt驱动电路的rg，使di/dt尽可能小； ——尽量将电解电容靠近igbt安装，以减小分布电感； ——根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。
由于缓冲保护电路对igbt的安全工作起着很重要的作用，在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。
——c缓冲电路如图4(a)所示，采用薄膜电容，靠近igbt安装，其特点是电路简单，其缺点是由分布电感及缓冲电容构成lc谐振电路，易产生电压振荡，而且igbt开通时集电极电流较大。
——rc缓冲电路如图4(b)所示，其特点是适合于斩波电路，但在使用大容量igbt时，必须使缓冲电阻值增大，否则，开通时集电极电流过大，使igbt功能受到一定限制。
——rcd缓冲电路如图4(c)所示，与rc缓冲电路相比其特点是，增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大，避开了开通时igbt功能受阻的问题。
该缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗为 p=li2f＋cud2f式中：l为主电路中的分布电感； i为igbt关断时的集电极电流； f为igbt的开关频率； c为缓冲电容； ud为直流电压值。
——放电阻止型缓冲电路如图4(d)所示，与rcd缓冲电路相比其特点是，产生的损耗小，适合于高频开关。
在该缓冲电路中缓冲电阻上产生的损耗为 p=1/2li2f+1/2cuf 根据实际情况选取适当的缓冲保护电路，抑制关断浪涌电压。
在进行装配时，要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好。
2．3集电极电流过流保护 对igbt的过流保护，主要有3种方法。
2.3.1用电阻或电流互感器检测过流进行保护 如图5（a）及图5（b）所示，可以用电阻或电流互感器与igbt串联，检测流过igbt集电极的电流。
当有过流情况发生时，控制执行机构断开igbt的输入，达到保护igbt的目的。
2.3.2由igbt的vce(sat)检测过流进行保护 如图5（c）所示，因vce(sat)=icrce(sat)，当ic增大时，vce(sat)也随之增大，若栅极电压为高电平，而vce为高，则此时就有过流情况发生，此时与门输出高电平，将过流信号输出，控制执行机构断开igbt的输入，保护igbt。
2.3.3检测负载电流进行保护 此方法与图5（a）中的检测方法基本相同，但图5（a）属直接法，此属间接法，如图5（d）所示。
若负载短路或负载电流加大时，也可能使前级的igbt的集电极电流增大，导致igbt损坏。
由负载处（或igbt的后一级电路）检测到异常后，控制执行机构切断igbt的输入，达到保护的目的。
2．4过热保护 一般情况下流过igbt的电流较大，开关频率较高，故而器件的损耗也比较大，如果热量不能及时散掉，使得器件的结温tj超过tjmax，则igbt可能损坏。
igbt的功耗包括稳态功耗和动态动耗，其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。
在进行热设计时，不仅要保证其在正常工作时能够充分散热，而且还要保证其在发生短时过载时，igbt的结温也不超过tjmax。
当然，受设备的体积和重量等的限制以及性价比的考虑，散热系统也不可能无限制地扩大。
可在靠近igbt处加装一温度继电器等，检测igbt的工作温度。
控制执行机构在发生异常时切断igbt的输入，保护其安全。
除此之外，将igbt往散热器上安装固定时应注意以下事项： ——由于热阻随igbt安装位置的不同而不同，因此，若在散热器上仅安装一个igbt时，应将其安装在正中间，以便使得热阻最小；当要安装几个igbt时，应根据每个igbt的发热情况留出相应的空间； ——使用带纹路的散热器时，应将igbt较宽的方向顺着散热器的纹路，以减少散热器的变形； ——散热器的安装表面光洁度应≤10μm，如果散热器的表面不平，将大大增加散热器与器件的接触热阻，甚至在igbt的管芯和管壳之间的衬底上产生很大的张力，损坏igbt的绝缘层； ——为了减少接触热阻，最好在散热器与igbt模块间涂抹导热硅脂。
3结语 在应用igbt时应根据实际情况，采取相应的保护措施。
只要在过压、过流、过热等几个方面都采取有效的保护措施后，在实际应用中均能够取得良好的效果，保证igbt安全可靠地工作。
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