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新型栅极驱动光耦合器提高IGBT和功率MOSFET的开关性能
[正文]:安捷伦科技公司推出了一种适用于等离子体显示板、分布式电源体系结构和高性能开关电源的高速mosfet/igbt栅极驱动光耦合器。
这种型号为hcpl-3180新型光耦合器可用在等离子体显示板驱动电路、高性能开关电源 (smps)、不间断电源 (ups)、电机控制和分布式电源体系结构中。
近几年来，数字信号处理器和微控制器在电机控制、ups和高性能smps中的使用量增长很大，需要一种新的栅驱动器来满足对相关电子元件提出的额外的复杂性和高性能要求。
hcpl-3180既有250khz的最大开关速度又有2a的输出电流，这对于要求输出电流大和开关速度快的高性能设备是非常理想的。
其它关键特性有：延迟时间短，最大为200ns；共模抑制比大，为10kv/μs ；在-40~+100℃内性能有保障。
新的栅驱动光耦合器可由10~20v电源供电。
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